tension de claquage collecteur-émetteur

См. также в других словарях:

• ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения — Терминология ГОСТ 21934 83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа: 12. p i n фотодиод D. Pin Photodiode E. Pin Photodiode F. Pin Photodiode Фотодиод, дырочная и …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров — Терминология ГОСТ 20003 74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа: 1 При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, UЭБ0, UEB0. 2 При заданном токе коллектора и… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• пробивное напряжение — 2.2 пробивное напряжение: Максимальное значение напряжения, необходимого для пробоя искрового промежутка свечи при заданных условиях Источник: ГОСТ 28772 90: Системы зажигания автомобильных двигателей. Термины и определения …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• Пробивное напряжение коллектор-эмиттер — 13. Пробивное напряжение коллектор эмиттер D. Kollektor Emitter Durchbruchspannung (bei vorgegebenen Bedingungen) E. Breakdown collector emitter voltage F. Tension de claquage collecteur émetteur Пробивное напряжение, измеряемое между выводами… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• пробивное напряжение коллектор-эмиттер — Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе коллектора. Обозначение UКЭпроб Примечание При токе базы, равном нулю, UКЭО проб, U(BR)CEO ; при заданном сопротивлении в цепи база эмиттер, UКЭR проб,… …   Справочник технического переводчика

• пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора — Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Обозначение Uэпр к UBR CEO Примечание На ФЭПП может действовать равновесное… …   Справочник технического переводчика

• Пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора — 105. Пробивное напряжение коллектор эмиттер фототранзистора D. Kollektor Emitter Durch bruchspannung eines Phototransistors E. Collector emitters breakdown voltage of a phototransistor F. Tension de claquage collecteur émetteur de phototransistor …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• TRANSISTORS ET THYRISTORS — Dispositif semi conducteur à deux jonctions mis au point, en 1948, par trois chercheurs des Bell Telephone Laboratories (John Bardeen, William B. Shockley et Walter H. Brattain, auxquels on décerna le prix Nobel de physique en 1956), le… …   Encyclopédie Universelle

• COMFET — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… …   Wikipédia en Français

• GEMFET — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… …   Wikipédia en Français

• IGBT — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… …   Wikipédia en Français